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 一、台积电TSMC

（1）姓名：胡正明

（2）姓名：林本坚

（3）姓名：余振华

（4）姓名：米玉杰

（5）姓名：吴显扬

二、中芯国际：

（1）姓名：梁孟松

（2）姓名：张汝京

 三、三星Samsung

（1）姓名：李润雨

（2）姓名：Kye Hyun Kyung

（3）姓名：Jungbae Lee

（4）姓名：Siyoung Choi 

四、英特尔Intel

（1）姓名：Randhir Thakur

（2）姓名：Ann B. Kelleher

五、长电科技

（1）姓名：王新潮

（2）姓名：李春兴

六、联华电子

（1）姓名：曹兴诚

七、总结

 一、台积电TSMC

就拿半导体这个行业来说，全球最强势的半导体公司必然是台湾省的台积电，台积电之所以强势，是因为台积电懂得收拢全球人才，且愿意为人才付钱。台积电在晶圆代工领域显然已是独占鳌头，2021年，台湾地区半导体产业在全球晶圆代工市占率62%，是世界第一，封装测试市占61.5%，也是世界第一，IC设计市占24.3%，是仅次于美国的世界第二。

（1）姓名：胡正明

国别：美国

主要履历：

1. 1947年7月出生于中国北京，于 1968 年在“台北国立台湾大学”获得电气工程学士学位，1970 年和 1973 年，分别获得加州大学伯克利分校的电子工程硕士和博士学位。
2. 自 1976 年以来，胡正明教授一直担任加州大学伯克利分校的工程学教授，他还是半导体制造商 Ambarella 和 Inphi 的董事会成员；
3. 1991-1994年任清华大学微电子学研究所荣誉教授；1997年当选为美国工程科学院院士
4. 1999 年发明了在国际上极受注目的鳍式场效晶体管（FinFET）和超薄绝缘层上硅体技术（FD-SOI）等多种新结构器件。这两个器件结构都集中在解决器件的漏电问题，罕见的是这两个器件结构最后均被工业界实现了。
5. 从 2001 年到 2004 年，他担任位于新竹的全球最大 IC制造公司台湾半导体制造公司的首席技术官；他还是美国思略科技公司（Celestry Design Technologies）的创始主席、半导体行业分析程序的创建者。
6. 2009 年，胡正明教授被授予 IEEE 西泽润一奖，以表彰他对生产体积更小、更可靠、性能更高的集成电路所做出的至关重要的成就；
7. 2015年12月获得美国国家技术和创新奖，这一奖励主要是表彰他在微电子领域的开拓性创新，其中包括微电子器件可靠性物理研究、首个用于电路设计的行业标准模型，以及对半导体技术发展具有极大推动作用的首个 3D 晶体管的发明。
8. 2016年5月19日，美国总统奥巴马在白宫为胡正明颁发美国国家科学奖章。
9. 2017年，加入台湾交通大学半导体学院 。

当前工作机构和任职：

        微电子学家，美国国家工程院院士、中国科学院外籍院士，美国加州大学伯克利分校杰出讲座教授。（没查到他的工作任职，应该是教育工作者，考虑他出身在台湾也担任过台积电的首席技术官，就把他归到这儿了，大家看个乐呵，要是有大佬知道胡正明先生在哪儿任职，欢迎留言！）

代表性成果：

1. 领导研究团队开发出BSIM，这是一种数学模型，可以从实际MOSFET晶体管的复杂物理特性推导出来。BSIM在1997年被国际晶体管模型理事会选为设计芯片的国际标准。

2. 发明了多种新型半导体器件，其中最著名的是FinFET（鳍式场效应晶体管）和FDSOI，在国际上极受注目。

3. 对微电子器件可靠性物理研究做出了突出贡献。他首先提出了热电子失效的物理机制，并开发出了用碰撞电离电流快速预测器件寿命的方法。此外，他还提出了薄氧化层失效的物理机制，并用高电压快速预测薄氧化层寿命的方法。

4. 首创了基于器件可靠性物理的IC可靠性计算机数值模拟工具。

参考链接：

胡正明（中国科学院外籍院士、微电子学家）_百度百科 (baidu.com)

（2）姓名：林本坚

国别：美国（不确定，他出身在越南，祖籍是中国广东）

主要履历：

1. 1942年，林本坚出生在越南，从小生长在越南西贡。
2. 1959年，到台湾新竹高级中学读书。 
3. 1963年，获得台湾大学电机工程学系学士。
4. 1970年，获得美国俄亥俄州立大学电机工程学系博士。
5. 1970年—1992年，在美国国际商用机器公司任研究员、研发经理、部经理、幕僚。
6. 1992年—2000年，在美国领创公司任总经理。
7. 2000年，回到台湾，加入了台湾积体电路制造股份有限公司（以下简称：台积电）。
8. 2000年—2015年，在台积电任资深处长、杰出科技院士和副总经理。
9. 2008年，当选美国国家工程学院院士。
10. 2014年，成为第一位出身业界的台湾“中央研究院”院士。
11. 2015年底，从台积电退休。
12. 2016年起，任台湾清华大学特聘研究讲座教授。

当前工作机构和职务：

        教育学者，美国国家工程院院士，台湾“中央研究院”院士，台湾清华大学、台湾交通大学、台湾大学特聘讲座教授，清大—台积电联合研发中心主任。（张忠谋曾说：假如没有林本坚及其团队，“台积电的微影（半导体关键制程之一）不会有今天这规模。”，他在台积电工作5年，可见他功绩之卓越，因此我把它归在台积电）。

代表性成果：

1. 在加入台积电之前，林本坚于IBM 华生实验室工作22 年，创造出包括1 微米、0.75 微米、0.5 微米在内多项光刻技术，1975年他做出当时光刻技术最短波长的光线，并将其命名为“深紫外线”（DeepUV），至今仍被广泛应用，是光刻显影技术的主流。
2. 由林本坚提出“浸润式微影技术”（以水为介，将193nm波长的光直接缩短至134nm），不仅让台积电一口气跳跃成长三个技术世代，成为世界的领先者，更让全球半导体制程得以往下推进约14 年时光，对全球半导体产业的先进制程贡献极大。
3. 此后，林本坚还不断突破半导体微影技术限制，让微影技术从28nm的极限成功驶向20nm，并引领着浸润式进入10nm，甚至7nm、5nm制程世代！

（3）姓名：余振华

国别：中国

主要履历：

1. 美国乔治亚理工学院材料工程博士
2. 余振华博士于1994年加入台积公司，负责后段研发相关的多种业务，并成功地开发0.13微米铜制程的关键制程技术。余博士同时领先推出台积公司的晶圆级系统整合技术，包括CoWoS®、整合型扇出（InFO）封装技术和台积电系统整合芯片（SoIC™）及其相关技术。2016年以前，余振华博士于Integrated Interconnect & Packaging处担任资深处长一职。
3. 加入台积公司之前，余振华博士是美国AT&T贝尔实验室的研究员和项目负责人。1987年至1994年间，余博士致力于次微米制程，组件及整合技术研发工作。
4. 余振华博士于2013年成为电机电子工程师学会（IEEE）院士，2017年获得总统科学奖，并于2018年获得IEEE EPS杰出制造技术奖。任职台积公司期间，余博士累计已获得超过1,800项的全球专利。
5. 余振华博士毕业于国立清华大学物理学系，并取得材料工程研究所硕士学位，以及美国乔治亚理工学院材料工程博士学位。

当前工作机构和职务：

        台积卓越科技院士、余振华博士现任台积公司Pathfinding for System Integration副总经理。对于台积电先进封装所取得的成就，余振华就是其中的重大功臣，也是六骑士中唯一一个还在台积电任职的（六骑士：林本坚、杨光磊、蒋尚义、孙元成、梁孟松、余振华）。

代表性成果：

1. 2003年那场以自主技术击败 IBM就是由余振华博士领头，一举扬名全球的 0.13微米铜制程的关键制程技术一役，直接将台积电推向世界的颠峰
2. 推出台积公司的晶圆级系统整合技术，包括CoWoS®、TSV技术、整合型扇出（InFO）封装技术和台积电系统整合芯片（SoIC™）及其相关技术。（老牛了，说是现在先进封装技术的大大大牛毫不过分）

参考资料：

Executives - Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (tsmc.com)

成就台积电霸主地位的六个人 (baidu.com)

让台积电独吃苹果的关键者，带着Chiplet技术首度“献声”SEMICON China_余振华 (sohu.com)

（4）姓名：米玉杰

国别：中国

主要履历：

1. 米博士于1994年加入台积公司担任三厂经理，2001年进入研究发展组织，并于2011年担任研究发展副总经理，2016年十一月擢升研究发展组织技术发展资深副总经理。
2. 米博士在台积公司服务超过20年，对于先进互补式金属氧化物半导体(CMOS)技术的开发与制造贡献良多。米博士成功开发出90奈米、40奈米、以及28奈米技术，而后更率领团队研发16奈米、7奈米、5奈米、以及更先进的技术，协助台积公司在全球集成电路制造服务领域保持技术领先的地位。
3. 米玉杰博士荣获2008年国家杰出研发经理奖，表扬米博士负责开发全球先进的40奈米技术，并领先提出「半世代制程」构想来提升效能且缩小芯片尺寸。米博士亦荣获2004年全国杰出工程师奖项。加入台积公司之前，米博士于IBM研究院从事研究工作。
4. 米玉杰博士拥有34项全球专利，其中包括25项美国专利。毕业于国立台湾大学电机系，并取得美国加州大学洛杉矶分校电机工程硕士及博士学位。

当前工作机构和职务：

        米玉杰博士现任台积公司研究发展组织资深副总经理

代表性成果：

1. ​米博士成功开发出90奈米、40奈米、以及28奈米技术，而后更率领团队研发16奈米、7奈米、5奈米、以及更先进的技术。（简单来说先进制程领军人），是台积电7nm、5nm的研发大将，接下来的3nm及2nm也是由他主导，他是目前台积电两位研发资深副总之一，另一位是罗唯仁。

（5）姓名：吴显扬

国别：中国

主要履历：

1. 吴显扬博士毕业于国立成功大学电机工程学系，于美国威斯康辛大学麦迪逊分校电机工程取得硕士与博士学位，并且于国立清华大学科技管理学院获得商學碩士(EMBA)学位。
2. 。吴显扬博士于1996年加入台积公司研发单位，参与了0.13微米，90纳米，65纳米至28纳米的先进互补金属氧化物半导体(CMOS)技术开发，为16纳米和7纳米技术的成功开发做出了巨大贡献并曾担任研究开发组织3奈米平台研发处资深处长。
3. 吴显扬博士曾受颁多项荣誉，包含2013年国家产业创新奖之年度创新领航奖，2015年度国家杰出经理奖，2017年度全国杰出工程师。
4. 吴显扬博士于2013年至2016年在国际电子组件会议（IEDM）执行委员会担任多个职位，并分别于2017年和2018年担任国际超大型积体电路研讨会(VLSI-TSA)技术主席和縂主席。吴显扬博士因在CMOS制程整合方面的研究处于领先地位而成为电机电子工程师学会(IEEE)院士，曾发表46篇论文，并在半导体技术领域共拥有72项专利。

当前工作机构和职务：

        吴显扬博士为台积公司研发技术发展副总经理，目前负责3纳米技术开发及台积公司的技术开发效能促进。

代表性成果：

1. 参与了0.13纳米，90纳米，65纳米至28纳米的先进互补金属氧化物半导体(CMOS)技术开发，为16纳米和7纳米技术的成功开发做出了巨大贡献

二、中芯国际：

而要说大陆地区的半导体公司，首推的当然是中芯国际，中芯国际是全球排名前五的晶圆厂，目前的最高技术制程工艺是7nm。 虽然中芯国际当前与台积电还存在不小的差距，但由于梁孟松的加盟，我们有理由相信，再给中芯国际一些时间，中芯国际必然能取得质的飞跃！

（1）姓名：梁孟松

国别：中国

主要履历：

半导体领域的专家，世界级的“芯片奇才”。梁孟松毕业于加州大学伯克利分校，读博期间，师从半导体加工技术之父胡正明，毕业后进入AMD工作，梁孟松将工作发展与研究方向相融合，在短短时间就发表了350篇优秀论文！

1.任职台积电:

•  1992年返台后，梁孟松担任台湾积体电路制造股份有限公司工程师、资深研发处长，是台积电近500项专利的发明人，负责或参与台积电每一世代制程的最先进技术
•  2003年，台积电以自主技术击败IBM，受中华民国行政院表彰的台积电研发团队中，负责130纳米“铜制程”先进模组的梁孟松其贡献排名第二，仅次于他的上司资深研发副总蒋尚义。
• 2009年2月，梁孟松离开台积电，转赴国立清华大学任电机工程学系和电子所教授，半年多后前往韩国 。

2.转投三星：

•  为符合竞业条款所规定的竞业禁止期限，梁孟松先于2010年10月开始在三星旗下的成均馆大学担任访问教授，实际任教于三星内部企业培训大学——三星半导体理工学院（SSIT）
• 2011年7月13日，梁孟松正式加入三星集团，担任三星LSI部门技术长，同时也是三星晶圆代工的执行副总。
• 当时三星正处于由芯片制程技术28纳米芯片制程转向20纳米制程的研发瓶颈，而梁孟松对此主张三星放弃20纳米制程。
• 2011年10月，台积电因此和梁孟松展开达四年的诉讼，指控其自2009年离职至成均馆大学任教以来，“应已陆续泄漏台积电公司之营业秘密予三星。”

3.加入中芯国际：

• 在与三星的契约结束之后，于2017年10月16日梁孟松出任中芯国际联合首席执行官（Co-CEO）兼执行董事。消息公布后，中芯股价于当日上扬并于其后近一个月涨逾20%。
• 梁孟松和其所率团队在一年内将中芯的低阶28纳米制程良率从60%提升至85%以上，并将高阶28纳米制程良率翻倍提升至80%以上，让产品质量大幅提升，也使28纳米制程开始获利。
•  梁孟松将14纳米制程的良率于298天之内，就从3%巨幅提升至95%以上，使中芯成为继台积电、联电、三星、格芯和英特尔之后，全球六家能生产14纳米芯片的企业之一，并同时研发出12纳米制程。
• 至2019年，中芯的14纳米制程成功量产时，比14纳米功耗降低、性能提升的12纳米制程也进入客户导入阶段，并于次年成功量产，使中芯成为继英特尔、格芯、台积电和三星之后，全球第五家能生产12纳米芯片的芯片厂
•  2020年10月，中芯以其N+1制程所产的10奈米芯片流片和功能测试一次通过，并于年底成功量产，使其成为继英特尔、台积电和三星之后，全球第四家能生产10奈米芯片的芯片厂
• 2022年，加拿大公司TechInsights通过逆向工程拆解分析中芯在2021年7月向加拿大比特币挖矿公司MinerVa供货的MV7挖矿芯片，发现其为7奈米制程，因此证明中芯第一代7奈米芯片已量产，使其成为继台积电和三星之后，全球第三家投产7奈米芯片的芯片厂。

当前工作机构和职务：

        现任中芯国际（全称中芯国际集成电路制造有限公司）联合首席执行官。梁孟松加盟中芯被业界称为“对中国半导体行业具有划时代的意义”、“中国半导体产业进入梁孟松时代”，亦有评论梁“为中芯打了一剂鸡血针”

代表性成果：

1. 和他的美国导师胡正明先生强强联手，研发了全新的鳍式长效应晶体管，是一项史无前例的全新技术！这项技术突破了当时世界上十分头疼的进程瓶颈。
2. 帮助三星直接由28纳米制程升级到14纳米制程，一次完成三代四级跨越，后获成功
3. 梁孟松从2017年11月任中芯国际联席CEO三年多，几乎从未休假，带领的2000多位工程师的尽心竭力，完成了中芯国际从28nm到7nm工艺的五个世代的技术开发。

4. 在半导体加工技术方面，梁孟松主要致力于研究半导体芯片的制造工艺，包括提高芯片的性能和稳定性，降低成本等方面。

5. 在半导体材料方面，梁孟松研究了新型半导体材料，包括高温超导体材料、纳米材料和低维材料等，并在这些领域取得了许多突破性成果。

6. 在半导体器件方面，梁孟松研究了新型半导体器件，包括超高速晶体管、超低功耗晶体管和高效率太阳能电池等，为提高半导体器件性能和效率做出了贡献。

7. 在半导体集成电路方面，梁孟松研究了新型半导体集成电路设计方法，包括低功耗、高速度和高集成度等方面。

参考链接：（简而言之，半导体行业的顶顶顶尖人才）

梁孟松_百度百科 (baidu.com)

梁孟松到底有多厉害？曾以一人之力，改变行业进程！_腾讯新闻 (qq.com)

芯片奇才梁孟松有多牛，助力中国芯片崛起，手撕国外先进进程技术|台积电|中芯国际|半导体|三星_网易订阅 (163.com)

（2）姓名：张汝京

国别：中国

主要履历：

1. 1948年出生于江苏南京，后毕业于台湾大学，于布法罗纽约州立大学获得工程学硕士学位，并在南方卫理公会大学获得电子工程博士学位。青岛科技大学客座教授、青岛科技大学国际半导体材料创研中心执行顾问。
2. 曾在德州仪器工作了20年。他成功地在美国、日本、新加坡、意大利及中国台湾地区创建并管理了10个工厂的技术开发及IC运作，担任中芯国际集成电路制造（上海）有限公司总裁。
3. 2000年4月，张汝京来到上海创办中芯国际，目标是成为一流水平的晶圆代工厂，张汝京已经带领中芯国际在上海盖了3座8寸晶圆厂，又买下摩托罗拉在天津的一座8寸厂，另外，在北京的一座12寸晶圆厂也已经投产。
4. 2003年，中芯国际的营收为3.65亿美元，虽然与行业龙头的差距甚远，但高达6.3倍的年营收成长率，使其成为全球成长力道最惊人的晶圆制造公司。
5. 2004年上半年，中芯国际的营收已达4亿美元，超越其2003年全年的业绩。2004年3月在香港和美国两地挂牌上市时，根据研究机构IDC的研究报告，在2004年第三季度，中芯国际产值已经超越新加坡特许半导体，晋身为全球第三大晶圆代工厂，成为晶圆制造业的“探花”。
6. 2009年11月10日，中芯国际创始人兼CEO张汝京宣布辞职，正式进入LED研发制造及LED相关应用产品领域，短短3年不到的时间内，已经在国内投资了4家LED企业，涵盖LED上游衬底材料、芯片和下游照明应用领域，投资金额超过35亿元，致力于环保与健康领域  。
7. 2014年，张汝京博士创办了新昇半导体。这是半导体产业链的上游，同样工艺条件下，300mm硅片可使用面积是200mm硅片可使用面积两倍以上，成本也就随之降低。应用在智能手机、云计算等高端领域的芯片主要都是来自300mm的硅片。2017-2018年，新昇顺利通过客户40nm-28nm大硅片的认证。
8. 2018年5月18日，张汝京再次创办了芯恩。芯恩在2021年开年后有新进展，8寸芯片厂的动力厂房、研发、设计、办公楼六栋单体完成主体施工，即将于二季度投产，12寸成熟工艺也将于第三季度时生产。

当前工作机构和职务：

        74岁的张汝京博士离开创办的芯恩，不再创业，加入“特色工艺集成电路芯片制造企业”积塔半导体（具体啥职位不清楚，严格意义上他不是中芯国际的人，我私心把梁先生放在了这里，中国半导体产业之父，向您致敬！）

代表性成果：

1. 创办了中芯国际
2. 创办了新昇半导体
3. 创办了芯恩
4. 创立的中芯学校，成为上海最著名的与海外教育接轨的学校之一

参考资料：

(6 封私信 / 33 条消息) 怎么评价中国芯片教父张汝京生平？ - 知乎 (zhihu.com)

中芯国际创始人张汝京再次离开，回归上海，加入积塔，再续半导体传奇之路-电子工程专辑 (eet-china.com)

张汝京_百度百科 (baidu.com)

 三、三星Samsung

（1）姓名：李润雨

国别：韩国

主要履历：

1. 毕业于首尔大学经济管理学院，是半导体存储器方面的专家。
2. 1968年加入三星公司，成为三星半导体初建时技术开发的主要骨干力量。
3. 1987年出任器兴半导体工厂的生产经理，并于1989年出任研发部门负责人。这段时间，三星半导体在设计工艺以及生产能力方面取得了长足进步，为其占领国际市场奠定了技术基础。1987年3月成为三星电子半导体常务理事。
4. 1993年，升任首席执行官，2004年成为三星电子国际合作部门的副会长。
5. 2005年出任三星电子的副会长以及首席技术官，三星高级技术院的副会长。
6. 当前，李先生是三星电子的副会长，CEO以及国际合作部门的执行官。同时，兼任韩国工程师俱乐部主席，汉城国立大学电子工程系校友会会长。
7. 2005年，被授予韩国年度最佳首席执行官称号。李先生曾就读于汉城国立大学，获电子工程学士学位。已婚，有三个孩子。

当前工作机构和职务：

1.         三星电子全球CEO

代表性成果：

（2）姓名：Kye Hyun Kyung

国别：韩国

主要履历：

1. 董事长兼首席执行官[2022~至今］
2. 总裁兼设备解决方案负责人 [2021~至今］
3. 三星电机有限公司首席执行官[2020~2021]
4. 内存业务解决方案产品与开发负责人 [2018~2020］
5. 内存业务闪存产品和开发负责人 [2015~2018］
6. 内存业务闪存设计团队负责人 [2011~2015］
7. 他于1994年加入韩国京畿道基兴三星电子株式会社，在三星电子公司内存部DRAM设计部门工作，从事面向后代的CMOS DRAM的研发。一直到2020年，共计25年，最高曾担任公司执行副总裁。
8. 1963年3月5日出生于韩国春川。他分别于1986年、1988年和1994年获得韩国首尔国立大学控制和仪表工程学士、硕士和博士学位，

当前工作机构和职务：

        总裁兼首席执行官

代表性成果：

1. 作为半导体设计专家，他的著名成绩包括在 1997 年开发出开创性的直接纵线式动态随机存取存储器 (Direct Rambus DRAM)，以及在 2013 年开发出 3D V-NAND 闪存，后者现已成为行业标准。
2. Kyung 博士还领导存储解决方案产品与开发部门，为公司探索研究前沿存储解决方案技术，包括在 2019 年开发出通用闪存 (UFS) 3.0 和配备 128 层 V-NAND 芯片的固态硬盘 (SSD)。
3. Kyung 博士曾担任电子组件附属公司三星电机总裁兼CEO，通过材料和组件技术的融合和集成，实现了技术领先地位，带来创纪录的收入和收益。
4. 他是韩国国家工程院院士，曾两次获得韩国科学和信息通信技术部 (ICT) 颁发的 IR52 Jang Young-Shil 奖。
5. 他还是 SNU 工程学院杰出校友奖的获得者。

（3）姓名：Jungbae Lee

国别：韩国

主要履历：

1. Jungbae Lee加盟三星电子 DRAM 设计组，作为 DRAM 技术专家，参与了 DDR、DDR2、DDR3、GDDR、LPDDR2、LPDDR3 等多种 DRAM 产品的开发。
2. 2011 年，其对 DRAM 技术发展的贡献获得了肯定，被升任设计组组长，负责 DRAM 设计。
3. 2013~2017 年，在其任商品企划组组长期间，充分发挥了出色的商务洞察力，战略化地将 3D-NAND 及 HBM（高带宽存储器）等三星电子的尖端技术产品化，在占有市场的过程中发挥了重要作用。
4. 此外，在其担任存器储业务部质量保证室长及 DRAM 开发室长后，升任存储器业务部社长兼总负责人，目前正带领存器储业务部向前开拓。
5. 首尔大学电子工学系学士、硕士、博士。

当前工作机构和职务：

        三星电子公司副董事长兼首席执行官

代表性成果：

•         Jungbae Lee加盟三星电子 DRAM 设计组，作为 DRAM 技术专家，参与了 DDR、DDR2、DDR3、GDDR、LPDDR2、LPDDR3 等多种 DRAM 产品的开发。

（4）姓名：Siyoung Choi 

国别：韩国

主要履历：

1. Siyoung Choi 自 1995 年入职三星电子以来，从存储器到逻辑 IC 的下一代工艺技术开发，均是不可或缺的中坚力量，为三星电子在半导体市场奠定了坚实的基础。在其领导下，三星电子在 14nm 及 10nm FinFET 工艺技术的基础之上，成功推出了 SoC。
2. 在成为代工厂业务部社长之前，2017 年起，任制造技术中心长官，成功构建了世界上规模较大的半导体制造集群。此外，他还大大提高了加工运营的效率，为了将竞争力不断扩大，还主导了生产系统的革新。
3. 在经历半导体业务的核心职务变更的同时作为工艺制造专家，引领着半导体产品相关工艺的开发及制造。现升任代工厂业务部社长兼总负责人，继续推动代工厂业务的发展。
4. Siyoung Choi 在学术杂志上发表过 100 余篇学术论文，保有 100 余项美国专利。此外，他也作为 VLSI、ITRS 及 IMEC 等数字技术委员会委员贡献着自己的力量。
5. 延世大学材料工学系学士（1986 年）及硕士（1988 年）
6. 俄亥俄州立大学材料工学系博士（1994 年）

当前工作机构和职务：

        三星电子总裁兼代工业务负责人        

代表性成果：

1. 领导了三星电子在 14nm 及 10nm FinFET 工艺技术的基础之上，成功推出了 SoC。
2. 成功领导建立了世界上最大的半导体制造集群。他还带头进行制造系统创新，以大大提高晶圆厂的运营效率，并最大限度地提高技术竞争力

参考资料：

Intel Newsroom: Executive Leadership

三星量产3nm！真领先台积电 还是“赶鸭子上架”？--快科技--科技改变未来 (mydrivers.com)

四、英特尔Intel

（1）姓名：Randhir Thakur

国别：

主要履历：

1. 2000 年加入应用材料公司，前五年在半导体产品组担任领导职务。他曾在半导体行业担任过许多业务和技术领导职务，包括在 Steag Electronic Systems 和 Micron Technology Inc. 担任职务。
2. 2008 年重新加入应用材料公司之前，Thakur 曾担任 SanDisk Corp. 的执行副总裁，负责 NAND 设计技术和制造运营，并领导全球运营和供应链。
3. 2017 年加入英特尔。
4. 曾担任应用材料公司硅系统集团执行副总裁，领导该公司的半导体业务。在担任应用材料公司之前，他领导公司的平板显示器和太阳能业务。
5. Thakur拥有印度库鲁克谢特拉国家理工学院的电子和电信工程学士学位；加拿大萨斯喀彻温大学电气工程硕士学位；以及俄克拉荷马大学电气工程博士学位。他于2013年被任命为电气和电子工程师协会（IEEE）的会员，并为半导体行业做出了开创性的贡献。他拥有300多项专利

当前工作机构和职务：

        现任英特尔代工服务部高级副总裁兼总裁。在 Thakur 的领导下，英特尔代工服务正在引领英特尔新晶圆代工业务的发展和增长，这是英特尔 IDM 2.0 战略的重要组成部分。他的组织将带来英特尔领先的工艺和封装技术、广泛的 IP 产品组合以及为代工客户提供服务的承诺能力。（可以说他是Intel晶圆代工未来的主将，但是11月份爆出来据说要跳槽了）

代表性成果：

1. 拥有 30 年的实践创新者和业务领导者经验，在全球制造、研发和盈利损益管理方面拥有专业知识。
2. 在全球半导体制造、生态系统领导、工艺技术设备和客户导向方面的深厚专业知识对于英特尔代工服务的成功至关重要。
3. 此前，负责了 NAND 设计技术和制造运营，并领导全球运营和供应链。

（2）姓名：Ann B. Kelleher

国别：

主要履历：

1. 此前，Kelleher 曾担任制造和运营总经理，负责监督英特尔的全球制造业务，包括 Fab Sort 制造、装配测试制造和战略规划，以及企业质量保证和企业服务。在此之前，她曾担任技术和制造集团的联席总经理。
2. Kelleher 于 1996 年加入英特尔，担任工艺工程师，继续在 200mm 和 300mm 技术等多个职位上管理技术转让和工厂产能提升。她作为爱尔兰莱克斯利普Fab 24的工厂经理开始了她的制造领导之旅。随后，她搬到亚利桑那州钱德勒，管理英特尔的 Fab 12 工厂，随后担任英特尔位于新墨西哥州里约兰乔的 Fab 11X 制造工厂的现场经理。随后，她成为Fab Sort制造组织的总经理，负责英特尔大批量硅制造的各个方面。
3. 凯莱赫拥有爱尔兰科克大学的电气工程学士学位、硕士学位和博士学位。

• 当前工作机构和职务：

       英特尔公司执行副总裁兼技术开发总经理。她负责下一代硅逻辑、封装和测试技术的研究、开发和部署，为英特尔创新的未来提供动力。

代表性成果：

        在 200mm 和 300mm 技术的各种职位上管理技术转让和产能提升

五、长电科技

长电科技是中国第一大、全球第三大半导体封测龙头公司（（第一是中国台湾的日月光）），业务覆盖全品类的系统集成封装设计与仿真、晶圆中道封装及测试、系统级封测、芯片成品测试，位于产业链中下游。2018年全球半导体封测规模为560亿美元，占全球半导体市场的11.95%，其中，长电科技的市场占有率就达到了13%，稳居行业第三。

从侧面来看，中国芯片封测领域还行，这也是为啥有的人说chiplet技术有望弯道超车，因为中国卡脖子卡的是先进制程（光刻机设备木有），chiplet技术可以在先进制程没那么给力的情况下通过合理的封装达到更好的效果，比如14nm的经过chiplet技术后可能达到7nm的效果。

长电科技是中国营收规模最大的封装公司，在先进封装技术和规模化量产能力中保持领先，在eWLB、FO、WLCSP、BUMP、ECP、PoP、SiP、PiP等封装技术已有多年的经验与核心专利的保护，对于Chiplet的发展也已奠定了应对的基础.

（1）姓名：王新潮

国别：中国

主要履历：

1. 1956年出生，由于政治出身不好，在读完了小学和初中之后，却没有机会念高中，在做了2年泥瓦匠之后，17岁的他被分配进入江阴第一织布厂当机修工。
2. 长电科技创始人。1972年在江阴市第一织布厂参加工作，历任江阴晶体管厂党支部书记、副厂长、厂长；江阴长江电子实业公司董事长、总经理、党委书记。
3. 基于在分立器件的卓越表现，2003年6月长电科技在上海证券交易所成功上市，这为长电科技的发展跨越了非常关键的一步。
4. 在2004年，当看到发改委有关鼓励电子元器件“贴片式”制造的文件后，王新潮当机立断投入6亿元改造当时市场主流的“直插式”元器件生产线，这次大胆的改造在2005年大显神威。
5. 2014年成功收购当时封测排名全球第四的星科金朋（当时长电科技排名全球第六），星科金朋拥有包括高通、博通、英特尔、Marvell、ADI、MTK在内的众多知名客户；而在技术方面，星科金朋也坐拥高端SiP系统级封装、Fan out扇出型晶圆级封装与FC-POP倒装堆叠封装技术。基于此，长电科技的扇出型封装一直比较擅长。

当前工作机构和职务：

        现任江苏长电科技股份有限公司董事长，江苏省半导体行业协会副理事长；中国半导体行业协会集成电路分会副理事长、分立器件分会副理事长和封装分会副理事长。（他已经退休了，现任CEO是郑力）

代表性成果：

封测巨头——长电科技的前世今生_王新潮 (sohu.com)

中国芯片封测，做到世界第三_腾讯新闻 (qq.com)

（2）姓名：李春兴

国别：韩国

主要履历：

1. 李春兴博士自2019年5月17日起出任长电科技首席技术长，拥有美国凯斯西储大学理论固体物理博士学位。
2. 李春兴博士在半导体领域拥有20多年的工作经验，曾任Amkor Technology首席技术官、全球制造业务执行副总裁和Amkor韩国总裁。李博士撰写有各种封装技术相关课题的研究论文，拥有韩国专利38项，美国专利21项。

当前工作机构和职务：

        现任江苏长电科技股份有限公司首席技术长

参考资料：（可以参考团队，但是非常突出的技术大牛我看了一圈没有很了解）

长电科技-管理团队 (jcetglobal.com)

六、联华电子

（1）姓名：曹兴诚

国别：中国&新加坡

主要履历：

1. 曹兴诚出身书香门第，1947年生于北平，一岁半时随父母到台湾，其父来台后曾于台中县清水高级中学任教中文及历史等学科。台湾省立清水中学（现台中市立清水高级中等学校）初中部毕业、台北市立建国中学毕业、台湾大学电机系学士，交通大学管理科学研究所硕士。
2. 1974年，进入时任经济部长的孙运璿所推动的财团法人工业技术研究院。
3. 1976年，工研院与美国无线电公司（RCA）签订技术移转授权合约，加入RCA计划，曹兴诚等人遂前往美国学习半导体之生产技术。
4. 1978年，曹兴诚作为先遣研发部队成员之一，与工研院电子所一批人一起在美商RCA处掌握了七微米的制造技术。
5. 1982年，集成电路公司联华电子成立，曹兴诚转任联华电子副总经理，进而接任总经理、董事长。后来，联华:电子在一连串的发展与并购后，成为世界第二大晶圆代工厂，常被拿来与世界第一大的台积电比较；而曹与台积电的董事长张忠谋也被称为台湾半导体双雄，两人之间存在“瑜亮情结”。
6. 2005年，联电因为违反陈水扁政府的中国大陆投资规定间接投资和舰科技而遭到新竹地检署搜索，并被控以背信罪及违反《商业会计法》，曹兴诚也因而辞去联电董事长职务。
7. 2011年1月，曹兴诚因和舰案诉讼以及新加坡政府的大力邀请，正式申请入籍新加坡，并宣布放弃中华民国国籍。
8. 2014年，联电和大陆政府合作成立厦门联芯，在厦门设立12吋厂生产40和28奈米芯片，联芯从动工到量产只花了20个月，没想到，开工之后，由于高昂折旧费用，根据联电年报，2018年联芯亏损新台币117亿元。
9. 2022年8月26日，曹兴诚身穿防弹衣出席自由亚洲电台节目，并公布已重新申请中华民国国籍；同月30日获准、核发身份证。

当前工作机构和职务：

        联电创始人&荣誉董事长

参考资料:

https://zh.wikipedia.org/wiki/%E6%9B%B9%E8%88%88%E8%AA%A0

七、总结

        其实看了那么多，心里很有感触，台积电目前实力强横，在晶圆代工的地位不可撼动，并大力发展先进封装领域，台积电这么牛也是有原因的，人才杠杠的，这个人才吸引力度真的大。三星2017年才成立晶圆代工事业部，可以看出对于晶圆代工业务的重视程度也提升到了一个新高度，同时也开始持续加大投入，其公司专长在存储制造方面，确实也能看出来市面上耳熟能详的DDR2、DDR3、闪存啥的，都有三星那么一回事儿，企业人才也更偏向于存储制造，晶圆代工可能弱一些，不过他们自己声称借助原有的存储制造技术即使是新开的晶圆代工超过台积电也指日可待。因为对于三星来说，只在最先进的制程工艺技术上领先台积电，才有机会获得苹果这样的头部客户的订单，才有机会在晶圆代工市场获得更高的市场份额，从而实现超越台积电的目标。

        根据英特尔对投资人公布的统计数据显示，今年一季度英特尔的晶圆代工业务营收年增175%，是旗下主要业务中，成长幅度最惊人的业务，主要来自思科、亚马逊等30多家客户的订单。显然，英特尔入局晶圆代工市场，将为本就竞争激烈的先进制程晶圆代工市场带来了新的竞争，台积电、三星也将面临新的挑战。

        反观大陆人才方面，虽然有很多人走了，但也有很多人回来。人才问题，率先在2000年左右迎来了转机，大批有海外留学经验、在顶级芯片公司工作多年的半导体人才，在这一时期回到中国。在西雁东飞的回归潮中，中星微的邓中翰于1999年回国，中芯的张汝京于2000年回国，展讯的武平和陈大同于2001年回国，芯原的戴伟民于2002年回国，兆易的朱一明于2004年回国，他们带着丰富的经验和珍贵的火种，跳进了中国半导体行业的历史进程之中。幸亏梁先生加入了中芯国际，几年之内迅速拔高了中芯国际先进制程的水平，中国半导体产业要加油呀！

        总结，写的好像有些乱，台积电、英特尔、三星、中芯国际和联电做的似乎是晶圆代工，尤其是台积电，至于长电科技和日月光做的都是芯片封测，当然Intel、NVIDIA、AMD这些顶尖大公司做的更偏向芯片设计（国内芯片设计顶呱呱似乎是华为海思），以上是我个人的看法，有问题请各位大佬留言指教，我只是一只入门的小菜鸡~~

另外，如果想看一下CPU/GPU业界的顶尖大牛，可以参考以下两篇：

(19条消息) 傻白入门芯片设计，盘点GPU业界的大佬（十五）_好啊啊啊啊的博客-CSDN博客

(19条消息) 傻白入门芯片设计，盘点CPU业界的顶尖人才（十四）_好啊啊啊啊的博客-CSDN博客